特诺半导体有限公司

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SIC MOS

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产品名称
VDS(V)
ID(A)
RDSON(Ω)(@Vgs=10V)
VGS(TH)(V)
QG(nC)
封装形式
规格书 状态 更新日期
TND65R180S 650V 20A(Tc=25℃) 典型 180mΩ(区间 160~195mΩ) 典型 2.6V(区间 2.2~3.5V) 10.6nC TO-252 量产在售 2026-08-01